В Samsung начато массовое производство передовой 20-нанометровой памяти DDR3

В Samsung начато массовое производство передовой 20-нанометровой памяти DDR3

Компания Samsung объявила о начале массового производства 20-нанометровых чипов памяти DDR3 DRAM ёмкостью 4 Гбит. Это, как утверждается, наиболее передовые изделия в своём классе. Новые чипы DRAM ёмкостью 4 Гбит выпускаются с применением иммерсионной литографии. При этом Samsung подчёркивает, что компании пришлось усовершенствовать методику двойного формирования рисунка. В результате стало возможным массовое производство 20-нанометровых микрочипов DDR3 на существующем фотолитографическом оборудовании.

Внедрение 20-нанометровой технологии позволит увеличить объёмы выпуска конечной продукции практически на треть по сравнению с 25-нанометровым техпроцессом. При этом энергопотребление модулей памяти сокращается на четверть.

Достижение Samsung открывает дорогу для перехода на технологию 10-нанометрового класса. Предполагается, что новая память найдёт применение в широком спектре компьютерных устройств.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.